Готовая курсовая работа

Элементы плёночной технологии.

Пассивные элементы гибридных ИМС создаются из тонких плёнок прово-дящих, резистивных и диэлектрических материалов нанесённых на поверхность подложки.

Достоинством плёночных микросхем является возможность изготовления пассивных элементов в широком диапазоне номиналов с минимальными допус-ками и лучшими, чем у полупроводниковых схем диэлектрическими характери-стиками. Конструктивное использование плёночных ИМС позволяет реализовать мощные (100Вт) электрические схемы, работающих при больших значениях на-пряжения. Процесс изготовления гибридных плёночных ИМС осложняется тем, что активные элементы выполняются в виде навесных бескорпусных транзисто-ров, диодов и т. д. Габаритные размеры подложек стандартизированы. На стан-дартизированной подложке групповым методом изготавливается несколько плат ГИС.

В качестве материалов тонкоплёночных проводников применяется Al, Cu, Ti, Tl, Ag.

Резистивные слои образуют плёнки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, ти-тана, Re и т. д.

Диэлектрические слои тонкоплёночных ИМС получают, осаждением мо-ноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов Al2O2; Ta2O5; Nb2O5.

Существует несколько способов получения тонких плёнок:

1. Электрическое осаждение;

2. Химическое осаждение;

3. Осаждение пиролитическим разложением;

4. Оплавление порошка стеклообразного материала;

5. Термовакуумное осаждение плёнок;

6. Катодное и ионно-плазменное распыление.

Разрабатываемая ИС должна соответствовать общим технологическим требованиям.

Исходные требования:

Максимальная рабочая температура +70С

Минимальная рабочая температура -20С

Время работы ИС 100004

Коэффициент нагрузки резисторов 0.7

Ширина формирующей щели 90 мкм

Минимальная ширина формирующей щели 6 мкм

Погрешность ширины формирующей щели 5%

Рабочая разность потенциалов на С 10 В

Площадь обкладок конденсаторов, не менее 1 мм2

Погрешность задания линейного размера обкладок 5%

Значения номиналов: R1=25 kOm 10%; R2=R3=10 kOm 10%;

R4=58 kOm 1%; C1=500 пФ 20%; С2=750 пФ 20%

1. Берцин А С., Мочалкин О.Р., Технология и конструирование ИМС, - М.: Радио и связь, 1983.

2. Ермолаев Ю.П., Понаморёв, Конструкции и технология микросхем (ГИС и СБИС): Учебник для ВУЗов. – М.: Сов. Радио. 1980.

3. Васильев К.Ю., Гиленко В.Т., Овсянников В.В. Плёночная технология.: - Днепропетровск: ДГУ, 1985.

4. Понаморёв М.Ф.: Конструирование и расчёт микросхем и микроэлемен-тов ЭВА. – М.: Радио и связь, 1989.

5. Присухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование вычислительных машин и систем. М.: В.Ш., 1986.

6. Ушаков Н.И. Технология производства ЭВМ. Учебник для ВУЗов, 3 изд. – М.: В.Ш., 1991.