Готовая дипломная работа

Введение    5

1    Аналитический обзор литературы    6

1.1    Преимущества полупроводникового SiC для устройств экстримальной электроники    6

1.2    Принципы формирования омического контакта    8

1.2.1    Физика образования омического контакта    8

1.2.2    Сопротивление омического контакта    12

1.2.3    Сопротивление приконтактной области    12

1.2.4    Сопротивление, связанное с переходом границы металл-полупроводник    13

1.2.5    Омический контакт на полупроводниковом SiC    25

1.3    Особенности получения контактов магнетронным распылением    27

1.3.1    Принцип действия и рабочие параметры магнетронных распылительных систем    27

1.3.2    Конструкции магнетронных распылительных систем    36

2    Экспериментальная часть.    50

2.1.1    Охрана труда и окружающей среды    50

2.1.2    Анализ опасных и вредных факторов и меры защиты    50

2.1.3    Краткая характеристика токсичности и пожаровзрывоопасности применяемых веществ    51

2.1.4    Классификация лабораторного помещения    52

2.1.5    Характеристика помещения    53

2.1.6    Освещение    53

2.1.7    Санитарные нормы    53

2.1.8    Санитарно-гигиеническая и пожарная характеристика лаборатории    54

2.1.9    Расчет защитного заземления в электроустановках в изолированной нейтралью напряжением свыше 1000 В    54

2.2    Получение омического контакта магнетронным распылением      никеля…….…………………………………………………………………………..58

2.2.1    Термическая обработка гетероструктур для получения омического контакта……………………………………………………………………………59

Выводы    62

Список использованных источников    63