Готовая курсовая работа

2.1. Построение вольт-фарадной характеристики канала.



Ёмкость между затвором и подложкой МОП-структуры будем рассматри-вать как два последовательно включённых конденсатора.

Один, из которых образуется металлом и границей Si-SiO2, его ёмкость рав-на const и равна С0.

Другой конденсатор образуется в режиме обеднения и инверсии за счёт на-личия обеднённой области. Эта ёмкость не линейна и зависит от ряда параметров.



Общая ёмкость имеет следующую оценку:

- при Uз

1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке.



В курсовой работе необходимо выполнить:

1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.

2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.

3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.

4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.



1.2. Исходные данные:

1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;

2) тип подожки n;

3) ширина канала Z=5,8 мкм;

4) толщина канала L=1,1 мкм;

5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;

6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;

7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.

1. Л.Рассадо “Физическая электроника и микроэлектроника”, М. Высшая школа, 1991г.

2. Маллер Д.Б. “Элементы интегральных схем”.

3. Агарханян O.П. “Основы транзисторной электроники”.

4. И.П. Степаненко “Основы транзисторов и транзисторных схем”, М., Энергия, 1973г.